继电器是具有隔离功能的自动开关元件，广泛应用于遥控、遥测、通信、自动控制、机电一体化及电子设备中，是最重要的控制元件之－。我国继电器行业十年来（1988棗1997年）取得了前所未有的骄人业绩。
一、十年重大成就回顾
（1）生产高速增长。
深化改革使继电器发展步入了快车道。我国电子设备用继电器1988年产量为0.36亿只，1996年即猛增至3.53亿只，其中“三资”企业约占2.5亿只。九年翻了三番多，年均递增28.9％，这在历史上是罕见的。上规模，上档次，争份额，已成为继电器全行业的共识。1996年产值超亿元的企业已逾五家。
（2）引进和技术改造成绩斐然。
在这十年间，成功地引进了高可靠微型密封继电器和程控交换机继电器的关键工艺技术、成套生产线或关键设备，成功地进行了汽车继电器和固态继电器（SSR）生产线的技术改造，使我国继电器行业整体水平在短短的几年中就上了－个新台阶，极大地提高了自我配套能力和强化了出口能力。我国继电器行业在下列关键技术上取得了重大突破：高频激光（每秒150点）封焊技术、无氟清洗技术（超净水一空气动态清洗技术；激光清洗技术）、高强度玻璃绝缘子制造技术（泄漏率≯10-4pa.cm3/s）、非恒流程控电镀技术及超微细金刚砂（＜10纳米）镀硬金技术、自动化大生产技术（运行节拍为1.5秒/只）等。
（3）自主开发能力大大增强，一批具有国际先进水平的继电器问世。
SSR的技术性能发生了飞跃：导通电阻从几百欧降至5mW ；断路漏电流从mA级降为lm A以下；开关时间从ms级降至10棗50m s；负载能力达直流400A，交流100A，双向10A；转换电路多达六组；最小体积F 8.5×7.1mm。大功率及多组SSR技术已处于国际领先水平。
程控交换机继电器在短短几年中即完成从第一代、第二代到第三代的跃迁，现在第三代DIL继电器（14×7×5.5mm，80?/FONT>130mw）生产技术已与世界同步。
高可靠密封继电器（EMR）的灵敏度、负载能力、耐环境性能、密封性、绝缘性能已接近军事大国先进水平。有的品种已确立了可靠性指标（l ￡ 10-6/次）。超小型高压继电器（8千伏）、温度继电器、断路器、流量继电器等特种继电器均已顺利研制成功。
（4)出口创汇成绩显著，已成为行业发展新的增长点。
1992年直接出口创汇额为0.36亿美元，1996年达1.23亿美元，1992?/FONT>1996年平均增长率为38.3％，远远高于生产增长的速度。出口量达2.5亿只，占总量的71％。
二、未来十年（2000?/FONT>2010年）前瞻
根据国内外市场的分析和预测，未来十年我国继电器行业仍将保持快速稳定增长的态势，经济效益显著提高，资金积累能力明显增强。2000年和2010年我国继电器的总产量将分别达到6亿只和15亿只，分别占当年世界继电器总产量的15％和30％，出口量稳居世界第一位，2010年我国将成为世界继电器生产大国。届时，我国程控交换机继电器及汽车继电器产量将跃居世界前三名，产值超十亿元的公司将逾五家。
随着电子技术向集成化、数字化、网络化和智能化方向发展，未来十年继电器技术的发展趋向如下：
（1）微小型化、片式化。为适应电子设备小型化、集成化和MCM（多芯片组件）技术的需要，继电器一是向二维、三维尺寸只有几毫米的微型继电器发展；二是向表面贴装继电器（耐焊接热：260℃，5～10s；高度4.2mm）发展。
（2）高灵敏度。为与逻辑集成电路兼容，将进一步提高继电器灵敏度，大力发展“绿色”继电器（省电及低“公害”即低“污染”），包括将固态继电器驱动电压由5v降至3v（功耗减少1/2）；推广磁保持继电器；在EMR前级加置固态放大器，灵敏度可提高到微瓦级。
（3）固态化。随着固态技术和光电子技术的发展，继电器固态化进程将加速。SSR的发展方向，一是微型化，如采用光电池隔离的微电子功率IC（MOSFET或BOSFET）SSR以及单片IC SSR（4.3×44×2.1mm）；二是大功率，如采用新型电力电子器件VDMOS，已达100V/30A，工作频率100KHz（抗辐射VDMOS，可在500V、10KGY总剂量g 辐射下正常工作），采用IGBT则可达1700V/800A，工作频率150KHz；三是I/O组件。
（4）组合化、多功能化。在继电器内部装入各种电路，如放大、延时、极性反相保护、消触点抖动、灭弧、遥控、组合逻辑等电路，可使之具有更多的功能。继电器与微处理器组合，将具备更广泛的多种专门控制功能，实现智能化。这些专用IC和SSR所用专用IC都有助于实现模块化。
（5）高环境、高可靠。随着电子设备向智能化、强生存能力发展，继电器使用环境日趋严酷，要求耐温：125℃（200℃）；耐振：294m/S2，10?/FONT>3000Hz（490m/s2，5000Hz）；耐冲击：980m/s2（1470m/s2）；随机振动：0.3G2，10?/FONT>2000Hz（0.6G2，10?/FONT>3000Hz）；失效率：l ￡ 10-7/次（10-8/次）。抗辐射强度：中子通量Pm＝6.8×1013h /cm3，g 剂量率：Dr＝2.3×1010rad/s；电磁脉冲强度：1×105伏/米。
（6）多元化。新兴技术的成群崛起，促进了不同原理，不同性能、结构和用途的各类继电器的竟相发展。在整机多方面需求的牵引和科技进步、敏感材料、功能材料发展的推动下，特种继电器性能将日臻完善，特别是温度继电器（多组，10A）、射频继电器（4G）、高压继电器（10万伏）、高绝缘（1015W ）及低热电势（0.5m A）继电器以及非电量（流量、压力、光等）控制的继电器等。
光纤通信是未来社会信息传输的主动脉。随着光通信、光传感、光计算机、光信息处理技术的发展，各类光器件，包括光纤继电器将得到迅速发展。展望未来，传统的继电器等机电元件将向新型的机电光元件发展。